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厂商:

INTERNATIONAL RECTIFIER

IRF

INTERNATIONAL RECTIFIER

描述:

HEXFET功率MOSFET

HEXFET Power MOSFET

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IRFR3505TRPBF 品牌:Infineon Technologies

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
IRFR3505TRPBF 图片
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET?
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
13 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
93nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2030pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
140W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装
2,000
其它名称
IRFR3505TRPBF-ND IRFR3505TRPBFTR SP001575950
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)

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INTERNATIONAL RECTIFIER

IRF

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HEXFET功率MOSFET

HEXFET Power MOSFET

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[ KERSEMI ] IRFR3518 Datasheet下载

厂商:

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

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高频DC- DC转换器

High frequency DC-DC converters

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[ IRF ] IRFR3518PBF Datasheet下载

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INTERNATIONAL RECTIFIER

IRF

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HEXFET功率MOSFET

HEXFET Power MOSFET

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厂商:

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

描述:

高频DC- DC转换器

High frequency DC-DC converters

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[ KERSEMI ] IRFR3518PbF Datasheet下载

厂商:

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

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高频DC- DC转换器

High frequency DC-DC converters

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INTERNATIONAL RECTIFIER

IRF

INTERNATIONAL RECTIFIER

描述:

HEXFET功率MOSFET

HEXFET Power MOSFET

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[ IRF ] IRFR3607TRPBF Datasheet下载

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INTERNATIONAL RECTIFIER

IRF

INTERNATIONAL RECTIFIER

描述:

高效率同步整流开关电源

High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

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IRFR3505TRPBF 品牌:Infineon Technologies

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
IRFR3505TRPBF 图片
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET?
包装
剪切带(CT)
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
13 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
93nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2030pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
140W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装
1
其它名称
IRFR3505TRPBFCT
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)

IRFR3505TRPBF 品牌:Infineon Technologies

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
IRFR3505TRPBF 图片
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET?
包装
Digi-Reel?
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
13 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
93nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2030pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
140W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装
1
其它名称
IRFR3505TRPBFDKR
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • IRFR3505TRL
  • 汽车MOSFET
    AUTOMOTIVE MOSFET

  • KERSEMI
  • 总11页

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